罗姆推超紧凑车用级MOSFET 可实现ADAS摄像头模块等设备的小型化

時間:2019-08-13

  日本半导体制造商罗姆(ROHM)宣布推出超级紧凑,尺寸为1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)産品,可提供优越的安装可靠性。该系列産品符合汽车电子可靠性标准AEC-Q101,即使在极端工作条件下,也可确保车用级可靠性和性能。此外,该産品采用了罗姆独有的封装加工技術,有助于实现ADAS摄像头模块等汽车电子设备的小型化。
    近年來,汽車安裝了越來越多的ADAS攝像頭等汽車安全和便利系統,但是此類系統受安裝空間的限制,對較小部件的需求也越來越多。爲滿足此類需求,在保持高電流的前提下,有望進一步實現小型化的底部電極封裝MOSFET受到了人們的關注。但是,對于汽車應用來說,在裝配過程中爲了保證質量需要進行光學檢查,但是,對于底部電極封裝組件來說,安裝後無法驗證焊料的高度,因而很難確定安裝條件。
  但是,此次,罗姆通过利用独有的Wettable Flank成型技術,确保了封装侧面电极部分的高度(130?m)符合汽车应用,从而确保了即使是底部电极组件的焊料质量也能保持一致,可在産品安装后的自动检查机器可以轻易验证安装后的焊料条件。
  關鍵特性
  1、专有的Wettable Flank技術确保封装测量电极部分高度为130?m
  罗姆的Wettable Flank成型技術是在封装侧面的引线框架加入切割再进行电镀的技術。但是,引线框架的高度越高越容易产生毛刺,因此,罗姆研发了一种独特的方法,在引线框架的整个表面都设置了用来减少毛刺的阻挡层,不仅可以防止组件在安装时产生倾斜和焊接不良,而且作为DFN1616(1.6 x1.6毫米)封装産品,是业界首个保证封装侧面电极部分高度为130?m的産品。
  2、緊湊型底部電極MOSFET,可減少安裝面積
  近年來,肖特基勢壘二極管(SBD)被廣泛用于ADAS攝像頭模塊的反接保護電路中。但是,由于先進汽車系統中的高分辨率攝像頭需要更大的電流,SBD正日益被緊湊型MOSFET取代,因爲MOSFET導電電阻低且産生的熱量少。
  例如,在電流爲2.0A,功耗爲0.6W時,傳統的車用級MOSFET安裝面積比SBD的少30%。而且采用底部電極封裝的MOSFET,散熱性更好,同時不僅可實現小型化,還可實現大電流。因此,與傳統的SBD相比,其安裝面積可削減78%,與普通的MOSFET相比,安裝面積可削減68%。

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